ZVN4210ASTOA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZVN4210ASTOA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для ZVN4210ASTOA
ZVN4210ASTOA Datasheet (PDF)
zvn4210astoa zvn4210astob zvn4210astz.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVN4210AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)= 1.5* Spice model availableD G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 V10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 450 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower
zvn4210a.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVN4210AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)= 1.5* Spice model availableD G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 V10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 450 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower
zvn4210gta zvn4210gtc.pdf
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4210GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - NOVEMBER 1995FEATURESD* Low RDS(on) = 1.5PARTMARKING DETAIL - ZVN4210SDGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 0.8 APulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C P
zvn4210g.pdf
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4210GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - NOVEMBER 1995FEATURESD* Low RDS(on) = 1.5PARTMARKING DETAIL - ZVN4210SDGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 0.8 APulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C P
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918