ZVN4210ASTOB - аналоги и даташиты транзистора

 

ZVN4210ASTOB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ZVN4210ASTOB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-92

 Аналог (замена) для ZVN4210ASTOB

 

ZVN4210ASTOB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:31K  diodes
 zvn4210astoa zvn4210astob zvn4210astz.pdf pdf_icon

ZVN4210ASTOB

N-CHANNEL ENHANCEMENT 0A ZVN4210A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)= 1.5 * Spice model available D G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 450 mA Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power

 6.1. Size:42K  diodes
 zvn4210a.pdf pdf_icon

ZVN4210ASTOB

N-CHANNEL ENHANCEMENT 0A ZVN4210A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)= 1.5 * Spice model available D G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 450 mA Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power

 7.1. Size:32K  diodes
 zvn4210gta zvn4210gtc.pdf pdf_icon

ZVN4210ASTOB

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN4210G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 - NOVEMBER 1995 FEATURES D * Low RDS(on) = 1.5 PARTMARKING DETAIL - ZVN4210 S D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 0.8 A Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C P

 7.2. Size:42K  diodes
 zvn4210g.pdf pdf_icon

ZVN4210ASTOB

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN4210G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 - NOVEMBER 1995 FEATURES D * Low RDS(on) = 1.5 PARTMARKING DETAIL - ZVN4210 S D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 0.8 A Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZVN4206AVSTOA , ZVN4206AVSTOB , ZVN4206AVSTZ , ZVN4206GTA , ZVN4206GTC , ZVN4206GVTA , ZVN4206GVTC , ZVN4210ASTOA , IRFB4110 , ZVN4210ASTZ , ZVN4210GTA , ZVN4210GTC , ZVN4306ASTOB , ZVN4306ASTZ , ZVN4306AVSTOA , ZVN4306AVSTOB , ZVN4306AVSTZ .

History: MTP8N20 | ZVN4206GVTA | ZVN4306ASTZ | ZVN4306AVSTOA | PSMNR90-30BL | TIS73

 

 
Back to Top

 


 
.