Справочник MOSFET. ZVN4210ASTZ

 

ZVN4210ASTZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ZVN4210ASTZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-92

 Аналог (замена) для ZVN4210ASTZ

 

 

ZVN4210ASTZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:31K  diodes
 zvn4210astoa zvn4210astob zvn4210astz.pdf

ZVN4210ASTZ ZVN4210ASTZ

N-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVN4210AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)= 1.5* Spice model availableD G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 V10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 450 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower

 6.1. Size:42K  diodes
 zvn4210a.pdf

ZVN4210ASTZ ZVN4210ASTZ

N-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVN4210AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)= 1.5* Spice model availableD G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 V10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 450 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower

 7.1. Size:32K  diodes
 zvn4210gta zvn4210gtc.pdf

ZVN4210ASTZ ZVN4210ASTZ

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4210GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - NOVEMBER 1995FEATURESD* Low RDS(on) = 1.5PARTMARKING DETAIL - ZVN4210SDGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 0.8 APulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C P

 7.2. Size:42K  diodes
 zvn4210g.pdf

ZVN4210ASTZ ZVN4210ASTZ

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4210GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - NOVEMBER 1995FEATURESD* Low RDS(on) = 1.5PARTMARKING DETAIL - ZVN4210SDGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 0.8 APulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C P

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top