ZVN4210ASTZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ZVN4210ASTZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-92
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
ZVN4210ASTZ Datasheet (PDF)
zvn4210astoa zvn4210astob zvn4210astz.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVN4210AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)= 1.5* Spice model availableD G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 V10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 450 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower
zvn4210a.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVN4210AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)= 1.5* Spice model availableD G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 V10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 450 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower
zvn4210gta zvn4210gtc.pdf
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4210GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - NOVEMBER 1995FEATURESD* Low RDS(on) = 1.5PARTMARKING DETAIL - ZVN4210SDGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 0.8 APulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C P
zvn4210g.pdf
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4210GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - NOVEMBER 1995FEATURESD* Low RDS(on) = 1.5PARTMARKING DETAIL - ZVN4210SDGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 0.8 APulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C P
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: H4N60F | P0908ATF | 2SK2424 | 2SK4108 | JCS2N60MB | CM20N50P | AP9997GP-HF
History: H4N60F | P0908ATF | 2SK2424 | 2SK4108 | JCS2N60MB | CM20N50P | AP9997GP-HF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor