ZVNL110ASTOB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ZVNL110ASTOB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO-92
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
ZVNL110ASTOB Datasheet (PDF)
zvnl110astoa zvnl110astob zvnl110astz.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVNL110AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)=3* Low threshold voltageD G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate Source Voltage VGS 20 VPower Dissipati
zvnl110a.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVNL110AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)=3* Low threshold voltageD G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate Source Voltage VGS 20 VPower Dissipati
zvnl110gta zvnl110gtc.pdf

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEZVNL110GLOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - FEBRUARY 1996 FEATURESD* LOW RDS(ON) - 3PARTMARKING DETAIL - ZVNL110SDGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 600 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation a
zvnl110g.pdf

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEZVNL110GLOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - FEBRUARY 1996 FEATURESD* LOW RDS(ON) - 3PARTMARKING DETAIL - ZVNL110SDGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 100 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 600 mAPulsed Drain Current IDM 6AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation a
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: IXFX80N60P3 | SHD219303 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | FDC796NF077 | NCE60NF730I | IRF8301MTRPBF
History: IXFX80N60P3 | SHD219303 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | FDC796NF077 | NCE60NF730I | IRF8301MTRPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460