Справочник MOSFET. ZVNL120GTA

 

ZVNL120GTA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ZVNL120GTA
   Маркировка: ZVNL120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для ZVNL120GTA

 

 

ZVNL120GTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  diodes
 zvnl120gta zvnl120gtc.pdf

ZVNL120GTA ZVNL120GTA

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEZVNL120GLOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - JANUARY 1996 FEATURESD* VDS - 200V* RDS(ON) - 10SPARTMARKING DETAIL - ZVNL120DGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 200 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 2AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dis

 6.1. Size:52K  diodes
 zvnl120g.pdf

ZVNL120GTA ZVNL120GTA

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEZVNL120GLOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FETISSUE 2 - JANUARY 1996 FEATURESD* VDS - 200V* RDS(ON) - 10SPARTMARKING DETAIL - ZVNL120DGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 200 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 320 mAPulsed Drain Current IDM 2AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dis

 7.1. Size:41K  diodes
 zvnl120astoa zvnl120astob zvnl120astz.pdf

ZVNL120GTA ZVNL120GTA

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVNL120AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 200 Volt VDSVGS=10V * RDS(on)=108V 6V * Low threshold4VDAPPLICATIONS G S* Telephone handsetsE-LineTO92 Compatible3VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT2VDrain-Source Voltage VDS 200 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 180 mAPulsed Drain

 7.2. Size:26K  diodes
 zvnl120c.pdf

ZVNL120GTA

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVNL120CMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D I I TI T I DE-Line T V TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID 8 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I

 7.3. Size:55K  diodes
 zvnl120a.pdf

ZVNL120GTA ZVNL120GTA

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVNL120AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 200 Volt VDSVGS=10V * RDS(on)=108V 6V * Low threshold4VDAPPLICATIONS G S* Telephone handsetsE-LineTO92 Compatible3VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT2VDrain-Source Voltage VDS 200 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 180 mAPulsed Drain

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 

Back to Top