TK7P60W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK7P60W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 13 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
Тип корпуса: DPAK
TK7P60W Datasheet (PDF)
tk7p60w.pdf
TK7P60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK7P60WTK7P60WTK7P60WTK7P60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.5 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancem
tk7p60w5.pdf
TK7P60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK7P60W5TK7P60W5TK7P60W5TK7P60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 75 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.54 (typ.) by used to Super
tk7p65w.pdf
TK7P65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK7P65WTK7P65WTK7P65WTK7P65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.66 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
