RJK5032DPH-E0 - описание и поиск аналогов

 

RJK5032DPH-E0 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RJK5032DPH-E0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для RJK5032DPH-E0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK5032DPH-E0 технические параметры

 ..1. Size:89K  renesas
rjk5032dph-e0.pdfpdf_icon

RJK5032DPH-E0

Preliminary Datasheet RJK5032DPH-E0 R07DS1039EJ0100 500V - 3A - MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Mar 15, 2013 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.1 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low drive current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZJ-B (Package name TO-251) D 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source

 5.1. Size:79K  renesas
rjk5032dpd.pdfpdf_icon

RJK5032DPH-E0

Preliminary Datasheet RJK5032DPD R07DS0836EJ0200 500V - 3A - MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Aug 08, 2012 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.1 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low drive current High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZG-A D (Package name MP-3A) 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source

 8.1. Size:94K  renesas
r07ds0417ej rjk5031dpd.pdfpdf_icon

RJK5032DPH-E0

Preliminary Datasheet RJK5031DPD R07DS0417EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching May 23, 2011 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZG-A D (Package name MP-3A) 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1 2 4. Drain 3 S

 8.2. Size:70K  renesas
r07ds0179ej rjk5033dpd.pdfpdf_icon

RJK5032DPH-E0

Preliminary Datasheet RJK5033DPD R07DS0179EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Oct 05, 2010 Features Low on-state resistance RDS(on) = 0.96 typ. (ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZG-A D (Package name MP-3A) 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1 2 4. Drain 3 S

Другие MOSFET... RJK4532DPD , RJK4532DPH-E0 , RJK5002DJE , RJK5002DPD , RJK5013DPP-E0 , RJK5014DPP , RJK5014DPP-E0 , RJK5032DPD , IRF9540 , RJK6002DJE , RJK6002DPH-E0 , RJK6013DPP-E0 , RJK6024DP3-A0 , RJK6025DPH-E0 , RJK6032DPH-E0 , RJK6036DP3-A0 , RJL5012DPP .

 

 
Back to Top

 


 
.