Справочник MOSFET. GSM4210W

 

GSM4210W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: GSM4210W

Маркировка: 4210W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.8 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 4 nC

Время нарастания (tr): 10 ns

Выходная емкость (Cd): 80 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для GSM4210W

 

 

GSM4210W Datasheet (PDF)

1.1. gsm4210w.pdf Size:937K _update-mosfet

GSM4210W GSM4210W

GSM4210W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4210W, N-Channel enhancement mode  30V/6.8A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to  30V/5.6A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge.  Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

3.1. gsm4210.pdf Size:966K _update-mosfet

GSM4210W GSM4210W

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4210, N-Channel enhancement mode  30V/6.8A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to  30V/5.6A,RDS(ON)=42mΩ@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge.  Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

 4.1. gsm4214.pdf Size:824K _update-mosfet

GSM4210W GSM4210W

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214, N-Channel enhancement mode  30V/9A,RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to  30V/8A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These  Super high density cell design for extremely devices are particularly suited for low voltage low RDS (ON) power mana

4.2. gsm4214w.pdf Size:794K _update-mosfet

GSM4210W GSM4210W

GSM4214W 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4214W, N-Channel enhancement mode  30V/9A,RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to  30V/8A,RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge.  Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low  S

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top