CEC2088E - описание и поиск аналогов

 

Аналоги CEC2088E. Основные параметры


   Наименование производителя: CEC2088E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для CEC2088E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEC2088E даташит

 ..1. Size:756K  cet
 cec2088e.pdf pdf_icon

CEC2088E

CEC2088E N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES D D 20V, 36A, RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 12m @VGS = 2.5V. G1 G2 RDS(ON) = 16m @VGS = 1.8V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. S1 S2 *Typical value by design Lead-free plating ; RoHS compliant. ESD Protected 2000 V. D2

Другие MOSFET... CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , IRF530 , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.