Справочник MOSFET. CEC2088E

 

CEC2088E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEC2088E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для CEC2088E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEC2088E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  cet
 cec2088e.pdf pdf_icon

CEC2088E

CEC2088EN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESD D20V, 36A, RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 12m @VGS = 2.5V.G1 G2 RDS(ON) = 16m @VGS = 1.8V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.S1 S2*Typical value by designLead-free plating ; RoHS compliant.ESD Protected: 2000 V. D2

Другие MOSFET... CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , AO4407 , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L .

History: JCS15N65BEI | 2SK117

 

 
Back to Top

 


 
.