CEC2088E - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEC2088E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для CEC2088E
CEC2088E технические параметры
cec2088e.pdf
CEC2088E N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES D D 20V, 36A, RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 12m @VGS = 2.5V. G1 G2 RDS(ON) = 16m @VGS = 1.8V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. S1 S2 *Typical value by design Lead-free plating ; RoHS compliant. ESD Protected 2000 V. D2
Другие MOSFET... CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , IRF530 , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L .
History: CJBE5005 | CEB85A3
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP6007S | AP5N50K | AP5N20K | AP5N10S | AP5N10M | AP50P20Q | AP50P20K | AP50P06K | AP50N06K | AP50N04QD | AP50N04Q | AP50N04K | AP50N04GD | AP5040QD | AP4946S | AP4847
Popular searches
a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102


