CEC2088E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEC2088E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для CEC2088E
CEC2088E Datasheet (PDF)
cec2088e.pdf

CEC2088EN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESD D20V, 36A, RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 12m @VGS = 2.5V.G1 G2 RDS(ON) = 16m @VGS = 1.8V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.S1 S2*Typical value by designLead-free plating ; RoHS compliant.ESD Protected: 2000 V. D2
Другие MOSFET... CJBA3139K , CJBA3541K , CJBA7002K , CJBB3134K , CJBB3139K , CJBD3020 , CJBE5005 , CJBM3020 , STP80NF70 , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , CEM2192 , CEM4052 , CEM6056L .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102