Справочник MOSFET. CEC2088E

 

CEC2088E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEC2088E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEC2088E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  cet
 cec2088e.pdf pdf_icon

CEC2088E

CEC2088EN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESD D20V, 36A, RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 12m @VGS = 2.5V.G1 G2 RDS(ON) = 16m @VGS = 1.8V.Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.S1 S2*Typical value by designLead-free plating ; RoHS compliant.ESD Protected: 2000 V. D2

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: UT30P03 | BUK7Y3R5-40E

 

 
Back to Top

 


 
.