CES2322 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CES2322
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для CES2322
CES2322 Datasheet (PDF)
ces2322.pdf

CES2322N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES20V, 6.2A, RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 30m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Lead-free plating ; RoHS compliant.DRugged and reliable.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit Units
ces2323.pdf

CES2323P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -4.2A, RDS(ON) = 48m @VGS = -10V. RDS(ON) = 80m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source
ces2324.pdf

CES2324N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 4.2A, RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 80m @VGS = 2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Lead free product is acquired.DRugged and reliable.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source Vo
ces2321a.pdf

CES2321APRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -3.8A, RDS(ON) = 55m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 75m @VGS = -2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead-free plating ; RoHS compliant.SOT-23 package.GDSGSSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit
Другие MOSFET... CEM4052 , CEM6056L , CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 , CEF9060N , CEB93A3 , SKD502T , CEZ3P08 , CEZ3R04 , CJCD2003 , CJCD2004 , CJCD2005 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K .
History: TPP60R580C | GSM2354 | MDU1517RH | FQPF9N50T | IXKK85N60C
History: TPP60R580C | GSM2354 | MDU1517RH | FQPF9N50T | IXKK85N60C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor