IRF60DM206 - описание и поиск аналогов

 

IRF60DM206 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF60DM206
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET
 

 Аналог (замена) для IRF60DM206

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF60DM206 технические параметры

 ..1. Size:524K  international rectifier
 irf60dm206.pdf pdf_icon

IRF60DM206

 9.1. Size:227K  infineon
 irf60b217.pdf pdf_icon

IRF60DM206

 9.2. Size:470K  infineon
 irf60r217.pdf pdf_icon

IRF60DM206

IR MOSFET StrongIRFET IRF60R217 Application D VDSS 60V Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 8.0m Battery powered circuits G Half-bridge and full-bridge topologies max 9.9m Synchronous rectifier applications S ID 58A Resonant mode power supplies OR-ing and redunda

 9.3. Size:246K  inchange semiconductor
 irf60b217.pdf pdf_icon

IRF60DM206

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF60B217 IIRF60B217 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 9.0m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF3415LPBF , IRF3708LPBF , IRF40H233 , IRF520NSPBF , IRF530NLPBF , IRF5801PBF , IRF5802PBF , IRF5803PBF , AO4407A , IRF6614PBF , IRF6616PBF , IRF6618PBF , IRF6620PBF , IRF6623PBF , IRF6637PBF , IRF6644PBF , IRF6646PBF .

 

 
Back to Top

 


 
.