Справочник MOSFET. IRF60DM206

 

IRF60DM206 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF60DM206
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET
 

 Аналог (замена) для IRF60DM206

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF60DM206 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:524K  international rectifier
irf60dm206.pdfpdf_icon

IRF60DM206

StrongIRFET IRF60DM206 DirectFET N-Channel Power MOSFET Application Brushed motor drive applications VDSS 60V BLDC motor drive applications RDS(on) typ. Battery powered circuits 2.2m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.9m Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies ID 130A

 9.1. Size:227K  infineon
irf60b217.pdfpdf_icon

IRF60DM206

IR MOSFET StrongIRFET IRF60B217 HEXFET Power MOSFET Application D VDSS 60V Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 7.3mBattery powered circuits G max 9.0m Half-bridge and full-bridge topologies S Synchronous rectifier applications ID 60A Resonant mode power supplies

 9.2. Size:470K  infineon
irf60r217.pdfpdf_icon

IRF60DM206

IR MOSFET StrongIRFET IRF60R217 Application D VDSS 60V Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 8.0mBattery powered circuits G Half-bridge and full-bridge topologies max 9.9m Synchronous rectifier applications SID 58A Resonant mode power supplies OR-ing and redunda

 9.3. Size:246K  inchange semiconductor
irf60b217.pdfpdf_icon

IRF60DM206

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF60B217IIRF60B217FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 9.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... IRF3415LPBF , IRF3708LPBF , IRF40H233 , IRF520NSPBF , IRF530NLPBF , IRF5801PBF , IRF5802PBF , IRF5803PBF , AO3407 , IRF6614PBF , IRF6616PBF , IRF6618PBF , IRF6620PBF , IRF6623PBF , IRF6637PBF , IRF6644PBF , IRF6646PBF .

History: SSF1016A | CS730FA9H | STP26N65DM2 | MT06N008A | IRF8252 | IRFIZ44NPBF | HY3408

 

 
Back to Top

 


 
.