Справочник MOSFET. SI9435

 

SI9435 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9435
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SI9435

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3139K  cn szxunrui
si9435.pdfpdf_icon

SI9435

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI9435P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SOP-8Description SD1 8The SI9435 uses advanced trench technology to provide S D2 7excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate SD3 6G D4 5voltages as low as 4.5V. Top ViewEquivalent Cir cuitGeneral Features S VDS = -30V = -4.2A RDS(ON)

 0.1. Size:66K  vishay
si9435dy.pdfpdf_icon

SI9435

 0.2. Size:241K  vishay
si9435bdy.pdfpdf_icon

SI9435

 0.3. Size:1809K  kexin
si9435dy.pdfpdf_icon

SI9435

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI9435DYSOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-5.3 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 50m (VGS =-10V) RDS(ON) 80m (VGS =-4.5V) Fast switching speed1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate5 46 37 28 1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-

Другие MOSFET... SI5N60L-TN3-R , SI5N60L-TN3-T , SI60N03 , SI68H11 , SI7N65 , SI7N65F , SI8205A , SI8205S , AON7410 , TX216521M6R , PS3400N , NVATS5A107PLZ , NVATS5A112PLZ , NVATS5A113PLZ , NVATS5A114PLZ , NVATS5A302PLZ , NVATS5A304PLZ .

 

 
Back to Top

 


 
.