Справочник MOSFET. IRF5802TR

 

IRF5802TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF5802TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для IRF5802TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF5802TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3729K  cn vbsemi
irf5802tr.pdfpdf_icon

IRF5802TR

IRF5802TRwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.095 at VGS = 10 V 3.2 Low On-Resistance100 4.2 nC0.105 at VGS = 4.5 V 3.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6APPLICATIONS

 7.1. Size:127K  international rectifier
irf5802.pdfpdf_icon

IRF5802TR

PD- 94086IRF5802SMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETVDSS RDS(on) max IDApplications High frequency DC-DC converters150V 1.2@VGS = 10V 0.9ABenefits Low Gate to Drain Charge to ReduceSwitching LossesD 1 6 D Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeD 2 5 DApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltag

 7.2. Size:205K  international rectifier
irf5802pbf.pdfpdf_icon

IRF5802TR

PD- 95475BIRF5802PbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETVDSS RDS(on) max IDApplicationsl High frequency DC-DC converters150V 1.2W@VGS = 10V 0.9ABenefitsl Low Gate to Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Currentl Lead-FreeTSO

 8.1. Size:127K  international rectifier
irf5803d2.pdfpdf_icon

IRF5802TR

PD- 94016IRF5803D2TMFETKY MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power1 8A KMOSFET and Schottky DiodeVDSS = -40V2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K P-Channel HEXFET3 6RDS(on) = 112mS D Low VF Schottky Rectifier45G D SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.51VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs andSchottky

Другие MOSFET... IM4435G , IPP048N04 , IPP048N06 , IRF3410 , IRF4435TR , IRF5305STR , IRF540NSTRPBF , IRF540ZP , IRLB4132 , IRF5803TRPBF , IRF5805TRPBF , IRF5851TR , IRF610P , IRF630P , IRF640P , IRF650AP , IRF7101TR .

History: PSMG50-05 | STI120NH03L | NTTFS5820NLTAG | MTP20N10E | KF11N50P | DMN2050L | MTM982400BBF

 

 
Back to Top

 


 
.