VBZ7001 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBZ7001
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
Тип корпуса: SOT23
VBZ7001 Datasheet (PDF)
vbz7001.pdf
VBZ7001 www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) VGS(th) (V) ID (mA) Definition TrenchFET Power MOSFET - 60 3 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -500 High-Side Switching Low On-Resistance 4 Low Threshold - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed 20 ns (typ.) Low Input Ca
Другие MOSFET... VBTA1220N , VBTA161K , VBTA2245N , VBTA3230NS , VBTA3615M , VBTA4250N , VBTA5220N , VBZ3442 , IRFP260N , VBZ84 , VBZA4042 , VBZA4407 , VBZA4409 , VBZA4410 , VBZA4412 , VBZA4420 , VBZA4425 .
History: SIHG30N60E | ZVN4424ASTOA | PSMN5R2-60YL
History: SIHG30N60E | ZVN4424ASTOA | PSMN5R2-60YL
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073


