VBZ7001 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBZ7001
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
Тип корпуса: SOT23
VBZ7001 Datasheet (PDF)
vbz7001.pdf

VBZ7001www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 3 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -500 High-Side Switching Low On-Resistance: 4 Low Threshold: - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) Low Input Ca
Другие MOSFET... VBTA1220N , VBTA161K , VBTA2245N , VBTA3230NS , VBTA3615M , VBTA4250N , VBTA5220N , VBZ3442 , 10N60 , VBZ84 , VBZA4042 , VBZA4407 , VBZA4409 , VBZA4410 , VBZA4412 , VBZA4420 , VBZA4425 .
History: ME2310 | SPW11N80C3 | NCE60H15A
History: ME2310 | SPW11N80C3 | NCE60H15A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ11DN10A | JMTQ100P03A | JMTQ100N04A | JMTQ100N03D | JMTQ100N03A | JMTK90N02A | JMTK80N06A | JMTK75N02A | JMTK70N07A | JMTK60N04B | JMTK58N06B | JMTK50P03A | JMTK50P02A | JMTK50N06B | JMTK50N03A | JMTK500N10A
Popular searches
2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073