Справочник MOSFET. FDD26AN06A0_F085

 

FDD26AN06A0_F085 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FDD26AN06A0_F085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 17 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm

Тип корпуса: TO252, DPAK

Аналог (замена) для FDD26AN06A0_F085

 

 

FDD26AN06A0_F085 Datasheet (PDF)

1.1. fdd26an06 f085.pdf Size:871K _fairchild_semi

FDD26AN06A0_F085
FDD26AN06A0_F085

Aug 2011 FDD26AN06A0_F085 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 36A, 26mΩ Applications Features • Motor / Body Load Control • rDS(ON) = 20mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 36A • ABS Systems • Qg(tot) = 13nC (Typ.), VGS = 10V • Powertrain Management • Low Miller Charge • Injection Systems • Low QRR Body Diode • DC-DC converters and Off-line UPS • UIS Capability (Si

1.2. fdd26an06a0.pdf Size:606K _fairchild_semi

FDD26AN06A0_F085
FDD26AN06A0_F085

August 2004 FDD26AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 36A, 26mΩ Features Applications • rDS(ON) = 20mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 36A • Motor / Body Load Control • Qg(tot) = 13nC (Typ.), VGS = 10V • ABS Systems • Low Miller Charge • Powertrain Management • Low QRR Body Diode • Injection Systems • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • DC-DC conv

 5.1. fdd2612.pdf Size:108K _fairchild_semi

FDD26AN06A0_F085
FDD26AN06A0_F085

August 2001 FDD2612    200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed • 4.9 A, 200 V. RDS(ON) = 720 mΩ @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional • High performance trench technology for extremely switching PWM controllers. It has be

5.2. fdd2670.pdf Size:95K _fairchild_semi

FDD26AN06A0_F085
FDD26AN06A0_F085

November 2001 FDD2670    200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed • 3.6 A, 200 V. RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional • Low gate charge switching PWM controllers. • Fast switching speed These MOSFETs

Другие MOSFET... STU102S , FDD20AN06A0_F085 , FDD24AN06LA0_F085 , FDD2572 , FDD2572_F085 , FDD2582 , FDD2670 , STU09N25 , BF245C , FDD306P , FDD3510H , STU06L01 , FDD3670 , STU04N20 , FDD3672 , STU03N20 , FDD3672_F085 .

 

 
Back to Top