Справочник MOSFET. FDD306P

 

FDD306P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD306P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для FDD306P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD306P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:505K  fairchild semi
 fdd306p.pdf pdf_icon

FDD306P

January 2005FDD306PP-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET Features Applications 6.7 A, 12 V. RDS(ON) = 28 m @ VGS = 4.5 V DC/DC converter RDS(ON) = 41 m @ VGS = 2.5 V RDS(ON) = 90 m @ VGS = 1.8 VGeneral Description Fast switching speedThis P-Channel 1.8V Specified MOSFET uses Fairchilds High performance trench technology for ext

Другие MOSFET... FDD20AN06A0F085 , FDD24AN06LA0F085 , FDD2572 , FDD2572F085 , FDD2582 , FDD2670 , STU09N25 , FDD26AN06A0F085 , P0903BDG , FDD3510H , STU06L01 , FDD3670 , STU04N20 , FDD3672 , STU03N20 , FDD3672F085 , STU03L07 .

History: KNY3406C | IRFB3306 | STP10NM60ND | FDP8442 | STF18NM60ND | HCS80R1K2S | LSC65R180GF

 

 
Back to Top

 


 
.