Справочник MOSFET. FDD306P

 

FDD306P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FDD306P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 12 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.7 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 15 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO252, DPAK

Аналог (замена) для FDD306P

 

 

FDD306P Datasheet (PDF)

1.1. fdd306p.pdf Size:505K _fairchild_semi

FDD306P
FDD306P

January 2005 FDD306P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench® MOSFET Features Applications ■ –6.7 A, –12 V. RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = –4.5 V ■ DC/DC converter RDS(ON) = 41 mΩ @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 90 mΩ @ VGS = –1.8 V General Description ■ Fast switching speed This P-Channel 1.8V Specified MOSFET uses Fairchild’s ■ High performance trench technology for ext

Другие MOSFET... FDD20AN06A0_F085 , FDD24AN06LA0_F085 , FDD2572 , FDD2572_F085 , FDD2582 , FDD2670 , STU09N25 , FDD26AN06A0_F085 , IRF640N , FDD3510H , STU06L01 , FDD3670 , STU04N20 , FDD3672 , STU03N20 , FDD3672_F085 , STU03L07 .

 

 
Back to Top