Справочник MOSFET. SVG104R2NT

 

SVG104R2NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVG104R2NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 171 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 794 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVG104R2NT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG104R2NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  silan
 svg104r2nt.pdf pdf_icon

SVG104R2NT

SVG104R2NT 120A100V N 2SVG104R2NT N MOS LVMOS 1

 7.1. Size:276K  1
 svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

SVG104R2NT

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

 7.2. Size:413K  silan
 svg104r5nt svg104r5ns svg104r5nstr svg104r5nf svg104r5nkl svg104r5ns6 svg104r5ns6tr.pdf pdf_icon

SVG104R2NT

SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) 120A100V N 2SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) N MOS 1 LVMOS 3

 7.3. Size:385K  silan
 svg104r0nt svg104r0ns svg104r0nstr.pdf pdf_icon

SVG104R2NT

SVG104R0NT(S) 120A100V N 2SVG104R0NT(S) N MOS LVMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVG103R0NS , SVG103R0NS6TR , SVG103R0NSTR , SVG103R0NT , SVG103R9NS , SVG104R0NS , SVG104R0NSTR , SVG104R0NT , HY1906P , SVG104R5NF , SVG104R5NKL , SVG104R5NS6 , SVG104R5NS6TR , SVG104R5NSTR , SVG105R4NKL , SVG105R4NS , SVG105R4NSTR .

History: SVT044R5NT | ME6874-G | HMS75N65T | RQ6E035AT | CHM5813ESQ2GP | APT3565BN

 

 
Back to Top

 


 
.