Справочник MOSFET. FDZ65T300D8G

 

FDZ65T300D8G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDZ65T300D8G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ65T300D8G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2737K  first semi
 fdz65t300d8g.pdf pdf_icon

FDZ65T300D8G

FDZ65T300D8G650V GaN Power Transistor (FET)FeaturesProduct Summary Easy to use, compatible with standard gate driversV 650 VDSS Excellent Q x R figure of merit (FOM)g DS(on)R 240 mDS(on), typ Low Q , no free-wheeling diode requiredrrQ 21.5 nCG, typ Low switching lossQ 39 nCRR, typ RoHS compliant and Halogen-freeApplicationsS High eff

Другие MOSFET... MPVU5N50CCFD , MPVD5N50CCFD , FDM20R120AN4G , FDM30R650AN4G , FDM40R120AN4G , FDM50R120AN4G , FDM60R65AN4G , FDM80R120AN4G , IRFZ44N , FDZ90T150PG , FIR10N10LG , FIR10N20LG , FIR10N50FG , FIR10N70FG , FIR10N80FG , FIR110N10PG , FIR11N40FG .

History: WMK15N65F2 | IRFD9014

 

 
Back to Top

 


 
.