Справочник MOSFET. FDZ65T300D8G

 

FDZ65T300D8G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDZ65T300D8G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ65T300D8G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2737K  first semi
 fdz65t300d8g.pdf pdf_icon

FDZ65T300D8G

FDZ65T300D8G650V GaN Power Transistor (FET)FeaturesProduct Summary Easy to use, compatible with standard gate driversV 650 VDSS Excellent Q x R figure of merit (FOM)g DS(on)R 240 mDS(on), typ Low Q , no free-wheeling diode requiredrrQ 21.5 nCG, typ Low switching lossQ 39 nCRR, typ RoHS compliant and Halogen-freeApplicationsS High eff

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FQI7N10TU

 

 
Back to Top

 


 
.