AGMH403A1 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AGMH403A1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Аналог (замена) для AGMH403A1
AGMH403A1 технические параметры
agmh403a1.pdf
AGMH403A1 Fig.7 Switching Time Measurement Circuit Fig.8 Gate Charge Waveform Fig.9 Switching Time Measurement Circuit Fig.10 Gate Charge Waveform Fig.11 Avalanche Measurement Circuit Fig.12 Avalanche Waveform www.agm-mos.com 4 VER2.72 AGMH403A1 Figure1 Gate Charge Test Circuit & Waveform Figure 2 Resistive Switching Test Circuit & Waveforms Figure 3 Unclamped Inductive Switching
agmh402c.pdf
AGMH402C General Description Product Summary The AGMH402C combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal switch and battery BVDSS RDSON ID for load protection applications. 40V 2.6m 170A Features Advance high cell density Trench technology TO-220 Pin Configuration Low R to mini
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF630 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
