Скачать даташит для nte3320:

NTE3320Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchFeatures:D Fourth Generation IGBTD Enhancement Mode TypeD High SpeedD Low Switching LossD Low Saturation VoltageApplications:D High Power SwitchingAbsolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600VGate-Emitter Voltage, VGES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20VCollector Current, ICDC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50APulse (1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 nte3320.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 nte3320.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 nte3320.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы