Скачать даташит для nte3322:

NTE3322Insulated Gate Bipolar TransistorN-Channel Enhancement Mode,High Speed SwitchTO3PBLFeatures:D Enhancemnt Mode TypeD FRD Included Bwetwen Emitter and CollectorD High SpeedD Low Saturation VoltageApplications:D High Power SwitchingAbsolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900VGate-Emitter Voltage, VGES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25VCollector Current, ICDC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60APulse (1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 nte3322.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 nte3322.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 nte3322.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы