2SB876 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SB876
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для 2SB876
2SB876 - технические параметры
2sb873 e.pdf
Transistor 2SB873 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency power amplification Unit mm For DC-DC converter 5.9 0.2 4.9 0.2 For stroboscope Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector current IC. 0.7 0.1 2.54 0.15 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 30 V Collector
2sb873.pdf
Transistor 2SB873 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency power amplification Unit mm For DC-DC converter 5.9 0.2 4.9 0.2 For stroboscope Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector current IC. 0.7 0.1 2.54 0.15 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 30 V Collector
2sb870.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB870 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD866 Low collector saturation voltage High collector current capability APPLICATIONS For power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol
2sb871.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB871 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -20V(Min) (BR)CEO High Speed Switching Low Collector Saturation Voltage V = -0.6V(Max)@I = -10A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low voltage switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
Другие транзисторы... 2SB871A , 2SB872 , 2SB872A , 2SB873 , 2SB874 , 2SB874B , 2SB874C , 2SB875 , TIP2955 , 2SB877 , 2SB878 , 2SB879 , 2SB88 , 2SB880 , 2SB881 , 2SB882 , 2SB883 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3




