Биполярный транзистор 2SD1927 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1927
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
Корпус транзистора: TO126
2SD1927 Datasheet (PDF)
2sd1922.pdf
2SD1922Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency power amplifierOutlineTO-92MOD23ID1. Emitter2. Collector3. Base13212SD1922Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 25 VCollector to emitter voltage VCEO 25 VEmitter to base voltage VEBO 6VCollector current IC 0.8 ACollector peak current ic (peak)
2sd1923.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1923DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max) @I = 3ACE(sat) CHigh DC Current Gain: h = 2000(Min) @ I = 2A, V = 3VFE C CEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATION
2sd1928.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1928DESCRIPTIONCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max) @I = 4ACE(sat) CHigh DC Current Gain: h = 2000(Min) @ I = 4AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power amplifier and lowspeed switching industrial use.ABSOLUTE
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
