BDT93 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BDT93 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BDT93
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDT93

 

BDT93 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 bdt91 bdt93 bdt95.pdf pdf_icon

BDT93

isc Silicon NPN Power Transistor BDT91/93/95 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 20 200@ I = 4A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min)- BDT91; 80V(Min)- BDT93; CEO(SUS) 100V(Min)- BDT95 Complement to Type BDT92/94/96 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output stages and ge

 0.1. Size:215K  inchange semiconductor
 bdt91f bdt93f bdt95f.pdf pdf_icon

BDT93

isc Silicon NPN Power Transistor BDT91F/93F/95F DESCRIPTION DC Current Gain- h = 20 200@ I = 4A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min)- BDT91F; 80V(Min)- BDT93F; CEO(SUS) 100V(Min)- BDT95F Complement to Type BDT92F/94F/96F Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output stag

Другие транзисторы... BDT87 , BDT87F , BDT88 , BDT88F , BDT91 , BDT91F , BDT92 , BDT92F , TIP42C , BDT93F , BDT94 , BDT94F , BDT95 , BDT95F , BDT96 , BDT96F , BDV10 .

 

 
Back to Top

 


 
.