Справочник транзисторов. BUV21

 

Биполярный транзистор BUV21 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUV21
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BUV21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  onsemi
 buv21.pdf pdf_icon

BUV21

BUV21SWITCHMODEt SeriesNPN Silicon PowerTransistorThis device is designed for high speed, high current, high powerapplications. http://onsemi.comFeatures40 AMPERES High DC Current Gain:NPN SILICON POWERhFE min = 20 at IC = 12 AMETAL TRANSISTOR Low VCE(sat), VCE(sat) 200 VOLTS - 250 WATTSmax = 0.6 V at IC = 8 A Very Fast Switching Times:NPNTF max = 0.4

 ..2. Size:117K  inchange semiconductor
 buv21.pdf pdf_icon

BUV21

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUV21 DESCRIPTION With TO-3 package High DC current gain@IC=12A Fast switching times Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for high current,high speed and high power applications. PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) an

 0.1. Size:139K  motorola
 buv21rev.pdf pdf_icon

BUV21

Order this documentMOTOROLAby BUV21/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUV21SWITCHMODE Series40 AMPERESNPN Silicon Power TransistorNPN SILICONPOWER. . . designed for high speed, high current, high power applications.METAL TRANSISTOR High DC current gain: 200 VOLTShFE min. = 20 at IC = 12 A 250 WATTS Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 8 AVery fast switching

 0.2. Size:70K  onsemi
 buv21-d.pdf pdf_icon

BUV21

BUV21SWITCHMODEt SeriesNPN Silicon PowerTransistorThis device is designed for high speed, high current, high powerapplications. http://onsemi.comFeatures40 AMPERES High DC Current Gain:NPN SILICON POWERhFE min = 20 at IC = 12 AMETAL TRANSISTOR Low VCE(sat), VCE(sat) 200 VOLTS - 250 WATTSmax = 0.6 V at IC = 8 A Very Fast Switching Times:TF max = 0.4 ms at

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: ET189 | 3DG1047 | BD246F | 2SD476 | BFW71 | 2SC2139 | 2N6062

 

 
Back to Top

 


 
.