Справочник транзисторов. KSD1413

 

Биполярный транзистор KSD1413 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSD1413
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4000
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для KSD1413

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD1413 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  fairchild semi
 ksd1413.pdf pdf_icon

KSD1413

Power Amplifier ApplicationsPower Amplifier ApplicationsPower Amplifier ApplicationsPower Amplifier Applications High DC Current Gain Low Collector- Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1023TO-220F 1. Base 2. Collector 3. EmitterNPN Silicon Darlington TransistorNPN Silicon Darlington TransistorNPN Silicon Darlingt

 8.1. Size:48K  fairchild semi
 ksd1417.pdf pdf_icon

KSD1413

KSD1417High Power Switching Applications High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1022TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Ba

 9.1. Size:46K  fairchild semi
 ksd1406.pdf pdf_icon

KSD1413

KSD1406Low Frequency Power Amplifier Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1015TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Cu

 9.2. Size:49K  fairchild semi
 ksd1408.pdf pdf_icon

KSD1413

KSD1408Power Amplifier Applications Complement to KSB1017TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 4 AIB Base Current 0.4 APC Collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSD1406 , KSD1406G , KSD1406O , KSD1406Y , KSD1408 , KSD1408O , KSD1408R , KSD1408Y , 13003 , KSD1417 , KSD1588 , KSD1588O , KSD1588R , KSD1588Y , KSD1589 , KSD1589O , KSD1589R .

 

 
Back to Top

 


 
.