Справочник транзисторов. KSD1417

 

Биполярный транзистор KSD1417 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSD1417
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4000
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KSD1417 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  fairchild semi
 ksd1417.pdf pdf_icon

KSD1417

KSD1417High Power Switching Applications High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1022TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Ba

 8.1. Size:119K  fairchild semi
 ksd1413.pdf pdf_icon

KSD1417

Power Amplifier ApplicationsPower Amplifier ApplicationsPower Amplifier ApplicationsPower Amplifier Applications High DC Current Gain Low Collector- Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1023TO-220F 1. Base 2. Collector 3. EmitterNPN Silicon Darlington TransistorNPN Silicon Darlington TransistorNPN Silicon Darlingt

 9.1. Size:46K  fairchild semi
 ksd1406.pdf pdf_icon

KSD1417

KSD1406Low Frequency Power Amplifier Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1015TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Cu

 9.2. Size:49K  fairchild semi
 ksd1408.pdf pdf_icon

KSD1417

KSD1408Power Amplifier Applications Complement to KSB1017TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 4 AIB Base Current 0.4 APC Collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC2257A | BC337A-16 | ED1401D

 

 
Back to Top

 


 
.