Справочник транзисторов. KSD1417

 

Биполярный транзистор KSD1417 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSD1417
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4000
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSD1417

 

 

KSD1417 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  fairchild semi
ksd1417.pdf

KSD1417
KSD1417

KSD1417High Power Switching Applications High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1022TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Ba

 8.1. Size:119K  fairchild semi
ksd1413.pdf

KSD1417
KSD1417

Power Amplifier ApplicationsPower Amplifier ApplicationsPower Amplifier ApplicationsPower Amplifier Applications High DC Current Gain Low Collector- Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1023TO-220F 1. Base 2. Collector 3. EmitterNPN Silicon Darlington TransistorNPN Silicon Darlington TransistorNPN Silicon Darlingt

 9.1. Size:46K  fairchild semi
ksd1406.pdf

KSD1417
KSD1417

KSD1406Low Frequency Power Amplifier Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1015TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Cu

 9.2. Size:49K  fairchild semi
ksd1408.pdf

KSD1417
KSD1417

KSD1408Power Amplifier Applications Complement to KSB1017TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 4 AIB Base Current 0.4 APC Collector

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top