Биполярный транзистор KSD1589 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSD1589
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8000
Корпус транзистора: TO220
KSD1589 Datasheet (PDF)
ksd1589.pdf
KSD1589Low Frequency Power AmplifierLow Speed Switching Industrial Use Complement to KSB1098TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units Equivalent CircuitC VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V
ksd1588.pdf
KSD1588Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Complement to KSB1097TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Current (DC) 7 AICP
ksd1588.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
