KTN2907U - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KTN2907U
Маркировка: ZD
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: USM
KTN2907U - технические параметры
ktn2907u au.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2907U/AU TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Low Leakage Current _ A + 2.00 0.20 D 2 ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Low Saturation Voltage 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ E + VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15
ktn2907u ktn2907au.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2907U/AU TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Low Leakage Current _ + A 2.00 0.20 D 2 ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Low Saturation Voltage 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ + VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.
ktn2907s as.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2907S/AS TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES L B L DIM MILLIMETERS Low Leakage Current _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. C 1.30 MAX 2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.
ktn2907 a.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2907/A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Low Leakage Current ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAX E K VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA. B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D Complementary to the KTN2222/2222A. D 0.45 E 1.00
Другие транзисторы... KTN2369 , KTN2369A , KTN2369S , KTN2369U , KTN2907 , KTN2907A , KTN2907AS , KTN2907S , TIP31 , KTP5513 , KTS394A , KTS394B , KU601 , KU602 , KU605 , KU606 , KU607 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140







