Биполярный транзистор KTN2907U - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTN2907U
Маркировка: ZD
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: USM
KTN2907U Datasheet (PDF)
ktn2907u au.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2907U/AUTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURESM B MDIM MILLIMETERSLow Leakage Current_A+2.00 0.20D2: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V._+B 1.25 0.15_+C 0.90 0.10Low Saturation Voltage 31D 0.3+0.10/-0.05_E +: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15
ktn2907u ktn2907au.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2907U/AUTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURESM B MDIM MILLIMETERSLow Leakage Current_+A 2.00 0.20D2: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V._+B 1.25 0.15_+C 0.90 0.10Low Saturation Voltage 31D 0.3+0.10/-0.05_+: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.
ktn2907s as.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2907S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURES L B LDIM MILLIMETERSLow Leakage Current_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.
ktn2907 a.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2907/ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURESLow Leakage Current: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V.N DIM MILLIMETERSLow Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXDComplementary to the KTN2222/2222A.D 0.45E 1.00
ktn2907s ktn2907as.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2907S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_Low Leakage Current A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V.C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05Low Saturation Voltage E 2.40+0.30/-0.201: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15m
ktn2907ae.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2907AETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURESBLow Leakage CurrentDDIM MILLIMETERS: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V.2_+A 1.60 0.10Low Saturation Voltage _+B 0.85 0.1031_C 0.70 0.10+: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.D 0.27+0.10/-0.05_Complementar
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050