Справочник транзисторов. MBT6429DW1

 

Биполярный транзистор MBT6429DW1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MBT6429DW1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: SC-88 SC-70 SOT-363
 

 Аналог (замена) для MBT6429DW1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT6429DW1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:219K  onsemi
mbt6429dw1t1g.pdfpdf_icon

MBT6429DW1

MBT6429DW1T1GAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliant(3) (2) (1)MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 45 Vdc(4) (5) (6)Collector-Base Voltage VCBO 55 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current - Continuous IC 200 mAdcTHERMAL CHARACTE

 7.1. Size:300K  motorola
mmbt6428 mmbt6429.pdfpdf_icon

MBT6429DW1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT6428LT1/DAmplifier TransistorsMMBT6428LT1COLLECTORNPN SiliconMMBT6429LT131BASE23EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol 6428LT1 6429LT1 Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 50 45 VdcCASE 31808, STYLE 6CollectorBase Voltage VCBO 60 55 VdcSOT23 (TO236AB)EmitterBase Voltage VEBO

 7.2. Size:47K  philips
pmbt6428 pmbt6429 3.pdfpdf_icon

MBT6429DW1

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBT6428; PMBT6429NPN general purpose transistors1999 Apr 27Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 02Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors PMBT6428; PMBT6429FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 base2 emitterA

 7.3. Size:109K  philips
pmbt6428 pmbt6429.pdfpdf_icon

MBT6429DW1

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBT6428; PMBT6429NPN general purpose transistorsProduct data sheet 2004 Jan 22Supersedes data of 1999 Apr 27NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose transistors PMBT6428; PMBT6429FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Gen

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top

 


 
.