PBRN113ZT - описание и поиск аналогов

 

PBRN113ZT - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PBRN113ZT
   Маркировка: 7L_p7L_t7L_W7L
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для PBRN113ZT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBRN113ZT - технические параметры

 6.1. Size:150K  nxp
 pbrn113z.pdf pdf_icon

PBRN113ZT

PBRN113Z series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k , R2 = 10 k Rev. 01 26 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN113ZK SOT346 SC-59A TO-236 PBRN

 6.2. Size:154K  nxp
 pbrn113zs pbrn113z pbrn113zk.pdf pdf_icon

PBRN113ZT

PBRN113Z series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k , R2 = 10 k Rev. 01 26 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN113ZK SOT346 SC-59A TO-236 PBRN

 7.1. Size:152K  nxp
 pbrn113es pbrn113e pbrn113ek.pdf pdf_icon

PBRN113ZT

PBRN113E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 01 1 March 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236 PBRN113ES

 7.2. Size:147K  nxp
 pbrn113e.pdf pdf_icon

PBRN113ZT

PBRN113E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 01 1 March 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236 PBRN113ES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PBLS6021D , PBLS6022D , PBLS6023D , PBLS6024D , PBR941 , PBR941B , PBR951 , PBRN113ET , 2SA1837 , PBRN123ET , PBRN123YT , PBRP113ET , PBRP113ZT , PBRP123ET , PBRP123YT , PBSS2515E , PBSS2515M .

History: 2SC3865

 

 
Back to Top

 


 
.