Биполярный транзистор PUMD17 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PUMD17
Маркировка: D9*
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT363
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PUMD17 Datasheet (PDF)
pemd17 pumd17.pdf

PEMD17; PUMD17NPN/PNP resistor-equipped transistors;R1 = 47 k, R2 = 22 kRev. 03 24 January 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP resistor-equipped transistors.Table 1: Product overviewType number Package PNP/PNP NPN/NPNcomplement complementPhilips JEITAPEMD17 SOT666 - PEMB17 PEMH17PUMD17 SOT363 SC-88 PUMB17 PUMH171.2 Features
pemd10 pumd10.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMD10; PUMD10NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Apr 15Supersedes data of 2003 Nov 04 NXP Semiconductors Product data sheetNPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD10; PUMD10R1 = 2.2 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. M
pemd16 pumd16.pdf

PEMD16; PUMD16NPN/PNP resistor-equipped transistors;R1 = 22 k, R2 = 47 kRev. 02 7 June 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP resistor-equipped transistors.Table 1: Product overviewType number Package PNP/PNP NPN/NPNcomplement complementPhilips JEITAPEMD16 SOT666 - PEMB16 PEMH16PUMD16 SOT363 SC-88 PUMB16 PUMH161.2 Features B
pumd10 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageMBD128PUMD10NPN/PNP resistor-equippedtransistors1999 May 20Product specificationSupersedes data of 1998 Dec 04Philips Semiconductors Product specificationNPN/PNP resistor-equipped transistors PUMD10FEATURES Transistors with different polarity and built-in biasresistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 krespective
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: PDTC114YT | NKT108 | 2N5862 | DTC123JEB | 2SB443A | KRC663U | 2SC765
History: PDTC114YT | NKT108 | 2N5862 | DTC123JEB | 2SB443A | KRC663U | 2SC765



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor