Справочник транзисторов. 2SC5662

 

Биполярный транзистор 2SC5662 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5662
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SC-105AA VMT3 SOT723
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5662 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1139K  rohm
2sc5662.pdfpdf_icon

2SC5662

2SC5662DatasheetHigh-frequency Amplifier Transistor (11V, 50mA, 3.2GHz)lOutlinel SOT-723 Parameter Value SC-105AA VCEO11VIC50mAVMT3 lFeatures lInner circuitl l1)High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz)2)Small rbb'Cc and high gain.(Typ.4ps)3)Small NF.lApplicationlHIGH

 ..2. Size:147K  rohm
2sc4726 2sc5662 2sc4726 2sc4083 2sc3838k.pdfpdf_icon

2SC5662

High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz) 2SC5662 / 2SC4726 /2SC4083 / 2SC3838K Features Dimensions (Unit : mm) 1) High transition frequency. (Typ. fT= 3.2GHz) 2SC56621.22) Small rbbCc and high gain. (Typ. 4ps) 0.323) Small NF. (3)(1)(2)0.220.130.4 0.4 0.5(1) Base0.8(2) Emitter(3) CollectorROHM : VMT3Packaging specifications and

 8.1. Size:36K  sanyo
2sc5665.pdfpdf_icon

2SC5662

Ordering number : ENN73512SC5665NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5665High-Frequency Low-Noise Amplifierand OSC ApplicationsFeatures Package Dimensions Low-noise use : NF=1.5dB typ (f=2GHz). unit : mm High cut-off frequency : fT=6.5GHz typ (VCE=1V). 2106A: fT=11.2GHz typ (VCE=3V).[2SC5665] Low operating voltage.0.750.30.630~0.11 20.10.20.

 8.2. Size:33K  sanyo
2sa2031 2sc5669.pdfpdf_icon

2SC5662

Ordering number : ENN65862SA2031 / 2SC5669PNP Epitaxial Planar Silicon TransistorNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SA2031 / 2SC5669230V / 15A, AF100W Output ApplicationsFeatures Package Dimensions Large current capacitance. unit : mm Wide ASO and high durability against breakdown. 2022A Adoption of MBIT process.[2SA2031 / 2SC5669]15.63.24.814.0

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2SD910 | D45VH4 | 2N2772 | BTC5181WC3 | BC817-40 | PBSS305ND | MMBR571L

 

 
Back to Top

 


 
.