Биполярный транзистор 2SCR522UB - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SCR522UB
Маркировка: NC
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SC85 UMT3F SOT323FL
Аналоги (замена) для 2SCR522UB
2SCR522UB Datasheet (PDF)
2scr522eb.pdf
General purpose transistor(20V,0.2A) 2SCR522M / 2SCR522EB / 2SCR522UB Structure Dimensions (Unit : mm) NPN silicon epitaxial planar transistor VMT3Features Complements the 2SAR522M / 2SAR522EB / 2SAR522UB. Abbreviated symbol : NCApplications Switch, LED driver EMT3F(3)Packaging specifications Package VMT3 EMT3F UMT3F(1) (2)Packaging Type Taping Tapin
2scr523m 2scr523eb 2scr523ub.pdf
2SCR523M / 2SCR523EB / 2SCR523UBDatasheetNPN 100mA 50V General Purpose TransistorlOutlinelParameter Value SOT-723 SOT-416FLVCEO50VIC100mA 2SCR523M 2SCR523EB(VMT3) (EMT3F) SOT-323FL 2SCR523UB(UMT3F) lFeatures lInner circui
2scr523eb.pdf
General purpose transistor(50V,0.1A) 2SCR523M / 2SCR523EB / 2SCR523UB Structure Dimensions (Unit : mm) NPN silicon epitaxial planar transistor VMT3Features 1) Complements the 2SAR523M / 2SAR523EB / 2SAR523UB. Abbreviated symbol : NBApplications Switch, LED driver EMT3F(3)Packaging specifications Package VMT3 EMT3F UMT3F(1) (2)Packaging Type Taping Tapi
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
