Справочник транзисторов. LB123T

 

Биполярный транзистор LB123T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LB123T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для LB123T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LB123T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  lge
lb123t.pdfpdf_icon

LB123T

LB123T(NPN) TO-126 TransistorTO-1261. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 3 21 Features High voltage, high speed power switch Switch regulators 2.500 7.400PWM inverter and Motor controls 2.9001.1007.8001.500 Solenoid and relay drivers 3.900Deflection circuits 3.0004.100MAXIMUM RATINGS* TA=25 unless otherwise noted 10.600 3.2000.00011.

 ..2. Size:309K  wietron
lb123t.pdfpdf_icon

LB123T

LB123TNPN Epitaxial Planar Transistors1. EMITTER2. COLLECTORP b Lead(Pb)-Free3. BASE123TO-126*High voltage, high speed power switch *Switch regulators *PWM inverter and Motor controls *Solenoid and relay drivers *Deflection circuits aRating Symbol Value UnitVCBO600 VCollector-Base VoltageVCEO400 VCollector-Emitter VoltageVVEBO 8Emitter-Base Volt

 0.1. Size:40K  hsmc
hlb123t.pdfpdf_icon

LB123T

Spec. No. : HT200402HI-SINCERITYIssued Date : 1993.05.15Revised Date : 2006.02.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HLB123TNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HLB123T is designed for high voltage. High speed switching inductive circuitsand amplifier applications.FeaturesTO-126 High Speed Switching Low Saturation Voltage High ReliabilityAbsolut

 9.1. Size:47K  hsmc
hlb123d.pdfpdf_icon

LB123T

Spec. No. : HE6603HI-SINCERITYIssued Date : 1993.03.15Revised Date : 2005.08.16MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HLB123DNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HLB123D is designed for high voltage. High speed switching inductive circuitsand amplifier applications.FeaturesTO-126ML High Speed Switching Low Saturation Voltage High ReliabilityAbsolut

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC4100M | T1961 | T1251 | L8050HQLT1G | L9012QLT3G | CHDTC114YKGP

 

 
Back to Top

 


 
.