LB123T - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

LB123T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: LB123T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для LB123T

 

LB123T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  lge
lb123t.pdfpdf_icon

LB123T

LB123T(NPN) TO-126 Transistor TO-126 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 3 2 1 Features High voltage, high speed power switch Switch regulators 2.500 7.400 PWM inverter and Motor controls 2.900 1.100 7.800 1.500 Solenoid and relay drivers 3.900 Deflection circuits 3.000 4.100 MAXIMUM RATINGS* TA=25 unless otherwise noted 10.600 3.200 0.000 11.

 ..2. Size:309K  wietron
lb123t.pdfpdf_icon

LB123T

LB123T NPN Epitaxial Planar Transistors 1. EMITTER 2. COLLECTOR P b Lead(Pb)-Free 3. BASE 1 2 3 TO-126 *High voltage, high speed power switch *Switch regulators *PWM inverter and Motor controls *Solenoid and relay drivers *Deflection circuits a Rating Symbol Value Unit VCBO 600 V Collector-Base Voltage VCEO 400 V Collector-Emitter Voltage V VEBO 8 Emitter-Base Volt

 0.1. Size:40K  hsmc
hlb123t.pdfpdf_icon

LB123T

Spec. No. HT200402 HI-SINCERITY Issued Date 1993.05.15 Revised Date 2006.02.20 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HLB123T NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HLB123T is designed for high voltage. High speed switching inductive circuits and amplifier applications. Features TO-126 High Speed Switching Low Saturation Voltage High Reliability Absolut

 9.1. Size:47K  hsmc
hlb123d.pdfpdf_icon

LB123T

Spec. No. HE6603 HI-SINCERITY Issued Date 1993.03.15 Revised Date 2005.08.16 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HLB123D NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HLB123D is designed for high voltage. High speed switching inductive circuits and amplifier applications. Features TO-126ML High Speed Switching Low Saturation Voltage High Reliability Absolut

Другие транзисторы... BC847BPDW , BC848BDW , BC848BPDW , BC856BDW , BC857BDW , BC858BDW , C1815LT1 , C945LT1 , BC337 , M8050LT1 , M8550LT1 , MBT2222ADW , MBT2907ADW , MBT3904DW , MBT3906DW , MBT3946DW , MJE13003B .

 

 
Back to Top

 


 
.