D209L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D209L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO-3PN

 Аналоги (замена) для D209L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D209L даташит

 ..1. Size:562K  ate
 d209l.pdf pdf_icon

D209L

 0.1. Size:1353K  jilin sino
 3dd209l.pdf pdf_icon

D209L

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD209L MAIN CHARACTERISTICS Package I 12A C V 400V CEO P C 120W APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballasts High frequency switching power supply

 0.2. Size:212K  inchange semiconductor
 3dd209l.pdf pdf_icon

D209L

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD209L DESCRIPTION High breakdown voltage High switching speed High current capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballasts High frequency switching power supply High frequency power transform ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

Другие транзисторы: TIP36BF, TIP36CF, 2SC5011, 2SC5419, 2SC5446, 2SC5763, 2SC5803, 2SD2624, 431, FJAF6916, BU3150, 2SC5793, 2SB1685, 2SB1686, 2SB1687, 2SC5586, 2SC5830