Биполярный транзистор SUT101N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SUT101N
Маркировка: VX
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15(20) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-26
SUT101N Datasheet (PDF)
sut101n.pdf
SUT101NEpitaxial planar PNP/NPN silicon transistor Descriptions Complex type bipolar transistor Features Reduce quantity of parts and mounting cost High collector power dissipation : PC=500mW(Max.) Package : SOT-26 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT101N SOT-26 VX : Hfe rank, : Year & Week Code PIN Assignment & Description
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050