Справочник транзисторов. SUT101N

 

Биполярный транзистор SUT101N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: SUT101N
   Маркировка: VX
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15(20) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-26

 Аналоги (замена) для SUT101N

 

 

SUT101N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  auk
sut101n.pdf

SUT101N
SUT101N

SUT101NEpitaxial planar PNP/NPN silicon transistor Descriptions Complex type bipolar transistor Features Reduce quantity of parts and mounting cost High collector power dissipation : PC=500mW(Max.) Package : SOT-26 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT101N SOT-26 VX : Hfe rank, : Year & Week Code PIN Assignment & Description

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top