Биполярный транзистор LMBTA05LT1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LMBTA05LT1G
Маркировка: 1H
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для LMBTA05LT1G
LMBTA05LT1G Datasheet (PDF)
lmbta05lt1g lmbta06lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsFEATURESLMBTA05LT1G We declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.LMBTA06LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA05LT1GUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LMBTA06LT1GMAXIMUM RATINGSValue3Rating Symbol LMBTA05 LMBT
lmbta05lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsLMBTA05LT1GFEATURES We declare that the material of productLMBTA06LT1Gcompliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA05LT1GUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 S-LMBTA06LT1GQualified and PPAP Capable.MAXIMUM RATINGSValue3Rating Symbol LMBTA05 LMBTA0
lmbta06lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Driver TransistorsFEATURESLMBTA05LT1G We declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.LMBTA06LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring S-LMBTA05LT1GUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LMBTA06LT1GMAXIMUM RATINGSValue3Rating Symbol LMBTA05 LMBT
lmbta06ut1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual Driver TransistorsNPN/PNP Duals LMBTA05UT1GLMBTA06UT1GFEATURES We declare that the material of product S-LMBTA05UT1Gcompliance with RoHS requirements.S-LMBTA06UT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.MAXIMUM RATINGSValueRating Sy
Другие транзисторы... LBC857CLT1G , LBC857CWT1G , LBC858ALT1G , LBC858BDW1T1G , LBC858BLT1G , LBC858BWT1G , LBC858CDW1T1G , LBC858CLT1G , TIP2955 , LMBTA06LT1G , LMBTA13LT1G , LMBTA14LT1G , LMBTA42LT1G , LMBTA44LT1G , LMBTA55LT1G , LMBTA56LT1G , LMBTA64LT1G .
History: AF197 | GD160C | AC155 | BF883
History: AF197 | GD160C | AC155 | BF883



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350