Биполярный транзистор NSVMMBT5087LT3G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: NSVMMBT5087LT3G
Маркировка: 2Q
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для NSVMMBT5087LT3G
NSVMMBT5087LT3G Datasheet (PDF)
nsvmmbt5087lt1g.pdf

MMBT5087LLow Noise TransistorPNP SiliconFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringhttp://onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableCOLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitEMITTERCollector-Emitter V
nsvmmbt5088lt3g.pdf

MMBT5088L, MMBT5089LLow Noise TransistorsNPN SiliconFeatures S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringhttp://onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant*SOT-23 (TO-236)CASE 318MAXIMUM RATINGSSTYLE 6Rating Symbol Value Unit
nsvmmbt5401lt3g.pdf

MMBT5401L, SMMBT5401L,NSVMMBT5401LHigh Voltage TransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSSOT-23 (TO-236)CompliantCASE 318STYLE 6MAXIMUM RATINGSCOLLECTO
nsvmmbt5401wt1g.pdf

MMBT5401WHigh Voltage TransistorPNP SiliconFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringwww.onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable COLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2EMITTERCollector-Emitter Vo
Другие транзисторы... NSS1C201MZ4T3G , NSS1C300E , NSS1C300ET4G , NSS1C301E , NSS1C301ET4G , NSVMMBT2222ATT1G , NSVMMBT2907AWT1G , NSVMMBT5087LT1G , 13001-A , NSVMMBT5088LT3G , NSVMMBT5401LT3G , NSVMMBT5401WT1G , NSVMMBT589LT1G , NSVMMBT6429LT1G , NSVMMBT6517LT1G , NSVMMBT6520LT1G , NSVMMBTA05LT1G .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent