3DG6520 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG6520  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG6520

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG6520 даташит

 ..1. Size:366K  lzg
 3dg6520.pdf pdf_icon

3DG6520

Другие транзисторы: 3DG535, 3DG536KM, 3DG536M, 3DG5401, 3DG5551, 3DG5770, 3DG6, 3DG639, C1815, 3DG718A, 3DG720, 3DG752TM, 3DG8, 3DG8050, 3DG8050A, 3DG8050M, 3DG8051