3DG8050M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG8050M  📄📄 

Маркировка: HY3B_HY3C_HY3D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG8050M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG8050M даташит

 ..1. Size:281K  foshan
 3dg8050m.pdf pdf_icon

3DG8050M

S8050M(3DG8050M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Power amplifier applications. S8550M(3CG8550M) /Features Complementary pair with S8550M(3CG8550M). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 6.0 V EBO I 800 mA C

 7.1. Size:553K  jilin sino
 3dg8050.pdf pdf_icon

3DG8050M

 7.2. Size:120K  china
 3dg8050.pdf pdf_icon

3DG8050M

3DG8050 NPN PCM TA=25 330 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB 0.1mA 30 V V(BR)CEO ICE 0.1mA 25 V V(BR)EBO IEB 0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.1 A VBEsat 1.2 V IC=50mA IB=5mA VCEsat 0.5 V VCE=1V hFE 20 100 IC=0.

 7.3. Size:189K  lzg
 3dg8050a.pdf pdf_icon

3DG8050M

S8050A(3DG8050A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. P I , S8550A(3CG8550A) C C Features High P ,I , complementary pair with S8550A(3CG8550A). C C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG639, 3DG6520, 3DG718A, 3DG720, 3DG752TM, 3DG8, 3DG8050, 3DG8050A, S8050, 3DG8051, 3DG817, 3DG82, 3DG847B, 3DG9013, 3DG9014, 3DG930, 3DG945