3DG8050M - описание и поиск аналогов

 

3DG8050M - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DG8050M
   Маркировка: HY3B_HY3C_HY3D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3DG8050M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG8050M - технические параметры

 ..1. Size:281K  foshan
 3dg8050m.pdf pdf_icon

3DG8050M

S8050M(3DG8050M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Power amplifier applications. S8550M(3CG8550M) /Features Complementary pair with S8550M(3CG8550M). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 6.0 V EBO I 800 mA C

 7.1. Size:553K  jilin sino
 3dg8050.pdf pdf_icon

3DG8050M

 7.2. Size:120K  china
 3dg8050.pdf pdf_icon

3DG8050M

3DG8050 NPN PCM TA=25 330 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB 0.1mA 30 V V(BR)CEO ICE 0.1mA 25 V V(BR)EBO IEB 0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.1 A VBEsat 1.2 V IC=50mA IB=5mA VCEsat 0.5 V VCE=1V hFE 20 100 IC=0.

 7.3. Size:189K  lzg
 3dg8050a.pdf pdf_icon

3DG8050M

S8050A(3DG8050A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. P I , S8550A(3CG8550A) C C Features High P ,I , complementary pair with S8550A(3CG8550A). C C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DG639 , 3DG6520 , 3DG718A , 3DG720 , 3DG752TM , 3DG8 , 3DG8050 , 3DG8050A , S8050 , 3DG8051 , 3DG817 , 3DG82 , 3DG847B , 3DG9013 , 3DG9014 , 3DG930 , 3DG945 .

 

 
Back to Top

 


 
.