2N999 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: 2N999
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7000
   Корпус транзистора: TO72-3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам