Справочник транзисторов. KSR1208

 

Биполярный транзистор KSR1208 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSR1208
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: TO92S
 

 Аналог (замена) для KSR1208

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR1208 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  samsung
 ksr1208.pdf pdf_icon

KSR1208

KSR1208 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =47 , R2=22 ) Complement to KSR2208ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitVCollector-Base Voltage VCBO 50VCollector-Emitter Voltage VCEO 50VEmitter-

 8.1. Size:41K  samsung
 ksr1207.pdf pdf_icon

KSR1208

KSR1207 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =22 , R2=47 ) Complement to KSR2207ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitVCollector-Base Voltage VCBO 50VCollector-Emitter Voltage VCEO 50VEmitter-

 8.2. Size:40K  samsung
 ksr1201.pdf pdf_icon

KSR1208

KSR1201 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7 , R2=4.7 ) Complement to KSR2201ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Bas

 8.3. Size:40K  samsung
 ksr1206.pdf pdf_icon

KSR1208

KSR1206 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =10 , R2=47 ) Complement to KSR2206ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitVCollector-Base Voltage VCBO 50VCollector-Emitter Voltage VCEO 50VEmitter-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... EMA8 , KSR1201 , KSR1202 , KSR1203 , KSR1204 , KSR1205 , KSR1206 , KSR1207 , D965 , KSR1209 , KSR1210 , KSR1211 , KSR1212 , KSR1213 , KSR1214 , KSR2201 , KSR2202 .

History: 3N1151GP | BF391P1

 

 
Back to Top

 


 
.