Справочник транзисторов. ZDT758

 

Биполярный транзистор ZDT758 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ZDT758
   Маркировка: T758
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SM8

 Аналоги (замена) для ZDT758

 

 

ZDT758 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  diodes
zdt758.pdf

ZDT758
ZDT758

SM-8 DUAL PNP MEDIUM POWERZDT758TRANSISTORSISSUE 1 - NOVEMBER 1995C1 B1C1 E1C2 B2C2 E2SM-8 PARTMARKING DETAIL T758(8 LEAD SOT223)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I i T T T THERMAL CHARACTERISTICS T V ITT I Di i i T i I i i II D i I i 8 i II T I i i i

 9.1. Size:90K  diodes
zdt751.pdf

ZDT758
ZDT758

SM-8 DUAL PNP MEDIUM POWERZDT751TRANSISTORSISSUE 1 - AUGUST 1997C1 B1C1 E1C2 B2C2 E2SM-8 PARTMARKING DETAIL T751(8 LEAD SOT223)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollector-Base Voltage VCBO -80 VCollector-Emitter Voltage VCEO -60 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VPeak Pulse Current ICM -6 AContinuous Collector Current IC -2 A

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top