Биполярный транзистор BCP53T Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BCP53T
Маркировка: BCP53T
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 63
Корпус транзистора: SOT223
Аналог (замена) для BCP53T
BCP53T Datasheet (PDF)
bcp53t bcp53-10t bcp53-16t.pdf

BCP53T series80 V, 1 A PNP medium power transistorsRev. 2 29 April 2019 Product data sheet1. Product profile1.1. General descriptionPNP medium power transistors in a medium power SOT223 (SC73) Surface-Mounted Device(SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number Package NPN comlementNexperia JEDECBCP53T SOT223 SC-73 BCP56TBCP53-10T BCP56-10TBCP53-16T BCP56
bcp53t1r.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BCP53T1/DPNP Silicon BCP53T1Motorola Preferred DeviceEpitaxial TransistorThis PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in audio amplifierMEDIUM POWERapplications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed forPNP SILICONmedium power surface mount applications.HIGH CURRENT High C
bcp51ta bcp5110ta bcp5116ta bcp5116tc bcp52ta bcp5210ta bcp5216ta bcp53ta bcp53qta bcp5310ta bcp5316ta bcp5316qta bcp5316tc.pdf

BCP 51/ 52/ 53 PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > -45V, -60V & -80V Case: SOT223 IC = -1A High Continuous Collector Current Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound; ICM = -2A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 2W Power Dissipation Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Sa
sbcp53t1g.pdf

BCP53 SeriesPNP SiliconEpitaxial TransistorsThis PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in audioamplifier applications. The device is housed in the SOT-223 packagewhich is designed for medium power surface mount applications.http://onsemi.com High Current NPN Complement is BCP56MEDIUM POWER HIGH The SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow
Другие транзисторы... BCP52-10T , BCP52-16T , BCP52T , BCP53-10H , BCP53-10T , BCP53-16H , BCP53-16T , BCP53H , BC558 , BCP54T , BCP54T-10T , BCP54T-16T , BCP55-10T , BCP55-16T , BCP55T , BCP56-10H , BCP56-10T .
History: MD2219F | BC847AQB | BFW52A
History: MD2219F | BC847AQB | BFW52A



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337