All Transistors. SCR. КУ118А9 Datasheet

 

КУ118А9 SCR DATASHEET

КУ118А9 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

 

   Type: SCR
   Maximum peak gate power (PGM): 4 W
   Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 50 V
   Maximum average on-state current (IT(AVR)): 2 A
   Maximum RMS on-state current (IT(RMS)): 30 A
   Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 3 A/µs
   Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 5 V/µs
   Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): -60..100 °C
   Triggering gate voltage (VGT): 6 V
   Peak on-state voltage drop (VTM): 2 V
   Triggering gate current (IGT): 100 mA
   Holding current (IH): 100 mA

 

КУ118А9 Replacements

Type
< PGM < W
< VDRM < V
< IT(AVR) < A
< IT(RMS) < A
< ITSM < A
< dI/dt < A/µs
< dV/dt < V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Package + similar ones

  - Replacements for SCR and Triac

 

КУ118А9 Datasheet

Page #1

КУ118А9
 datasheet

Page #2

КУ118А9
 datasheet #2

Description

КУ118А9 Импульсный тиристор в корпусе КТ-46 (SOT23) АДБК.432160.498ТУ Единицы Обозначение Значение измерения Корпус КТ-46 (SOT23) IОС. СР. макс. 200 мА IОС. П. макс. 7 А IУПР. макс. 10 мА IУПР. И. макс. 10 мА Р 200 мВт СР. макс. Постоянное UЗС. макс. 200 В напряжение в закрытом @RAK. 1 кОм

 
Back to Top