КУ118Б9 SCR DATASHEET

КУ118Б9 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

 

   Type: SCR
   Maximum peak gate power (P_GM): 4 W
   Maximum repetitive peak and off-state voltage (V_DRM): 100 V
   Maximum average on-state current (I_T(AVR)): 2 A
   Maximum RMS on-state current (I_T(RMS)): 30 A
   Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 3 A/µs
   Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 5 V/µs
   Maximum operating junction and storage temperature range (T_stg, T_j): -60..100 °C
   Triggering gate voltage (V_GT): 6 V
   Peak on-state voltage drop (V_TM): 2 V
   Triggering gate current (I_GT): 100 mA
   Holding current (I_H): 100 mA

 

КУ118Б9 Replacements

Type
	< PGM <		W
	< VDRM <		V
	< IT(AVR) <		A
	< IT(RMS) <		A
	< ITSM <		A
	< dI/dt <		A/µs
	< dV/dt <		V/µs
Tstg, Tj	>		°C
RTH(j-a)	<		K/W
RTH(j-c)	<		K/W
VGT	<		V
VTM	<		V
IGT	<		mA
IH	<		mA
Package			+ similar ones

 SEARCH - Replacements for SCR and Triac

 

КУ118Б9 Datasheet

Page #1

Page #2

Description

КУ118А9 Импульсный тиристор в корпусе КТ-46 (SOT23) АДБК.432160.498ТУ Единицы Обозначение Значение измерения Корпус КТ-46 (SOT23) IОС. СР. макс. 200 мА IОС. П. макс. 7 А IУПР. макс. 10 мА IУПР. И. макс. 10 мА Р 200 мВт СР. макс. Постоянное UЗС. макс. 200 В напряжение в закрытом @RAK. 1 кОм