All Transistors. SCR. КУ712Б1 Datasheet

 

КУ712Б1 SCR-module DATASHEET

КУ712Б1 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

 

   Type: SCR-module
   Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 1200 V
   Maximum average on-state current (IT(AVR)): 200 A
   Maximum RMS on-state current (IT(RMS)): 314 A
   Non repetitive surge peak on-state current (ITSM): 5500 A
   Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 200 A/µs
   Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1000 V/µs
   Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): -40..125 °C
   Junction to ambient thermal resistance (RTH(j-a)): 0.77 K/W
   Junction to case thermal resistance (RTH(j-c)): 0.12 K/W
   Triggering gate voltage (VGT): 3 V
   Peak on-state voltage drop (VTM): 1.55 V
   Triggering gate current (IGT): 250 mA
   Holding current (IH): 300 mA

 

КУ712Б1 Replacements

Type
< PGM < W
< VDRM < V
< IT(AVR) < A
< IT(RMS) < A
< ITSM < A
< dI/dt < A/µs
< dV/dt < V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Package + similar ones

  - Replacements for SCR and Triac

 

КУ712Б1 Datasheet

Page #1

КУ712Б1
 datasheet

Page #2

КУ712Б1
 datasheet #2

Description

ЗАО «Кремний – Маркетинг» Тиристор серии г.Брянск КУ712,КУ712А-В КУ712-1,КУ712А1-В1 UT < 1,2 @ 8A Кремниевые диффузионные триодные тиристоры , непроводящие в обратном направлении в пластмассовых ITSM = 120A корпусах ТО-251, и корпусе для поверхностного монтажа ТО-252, предназначен

 
Back to Top