All Transistors. SCR. МДТ14-3-400-26 Datasheet

 

МДТ14-3-400-26 SCR-module DATASHEET

МДТ14-3-400-26 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

 

   Type: SCR-module
   Maximum repetitive peak and off-state voltage (VDRM): 200 V
   Maximum average on-state current (IT(AVR)): 100 A
   Maximum RMS on-state current (IT(RMS)): 157 A
   Non repetitive surge peak on-state current (ITSM): 2000 A
   Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 125 A/µs
   Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1000 V/µs
   Maximum operating junction and storage temperature range (Tstg, Tj): -40..125 °C
   Junction to case thermal resistance (RTH(j-c)): 0.3 K/W
   Triggering gate voltage (VGT): 3 V
   Peak on-state voltage drop (VTM): 1.55 V
   Triggering gate current (IGT): 150 mA
   Holding current (IH): 120 mA

 

МДТ14-3-400-26 Replacements

Type
< PGM < W
< VDRM < V
< IT(AVR) < A
< IT(RMS) < A
< ITSM < A
< dI/dt < A/µs
< dV/dt < V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Package + similar ones

  - Replacements for SCR and Triac

 

МДТ14-3-400-26 Datasheet

Page #1

МДТ14-3-400-26
 datasheet

Page #2

МДТ14-3-400-26
 datasheet #2

Description

Модули тиристорные и комбинированные Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT14/3-400, МДT14/3-400, МTД14/3-400, МTT14/3-500, МДT14/3-500, МTД14/3-500, МTT14/3-630, МДT14/3-630, МTД14/3-630, МT16/1-400, МT16/1-500, МT16/1-630 Модули тиристорные и комбинированные (в пластмассовом

 
Back to Top