МТД7-3-10-10 SCR-module DATASHEET

МТД7-3-10-10 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

   Type: SCR-module
   Maximum repetitive peak and off-state voltage (V_DRM): 800 V
   Maximum average on-state current (I_T(AVR)): 16 A
   Maximum RMS on-state current (I_T(RMS)): 25 A
   Non repetitive surge peak on-state current (I_TSM): 200 A
   Critical repetitive rate of rise of on-state current (dI/dt): 100 A/µs
   Critical rate of rise of off-state voltage (dV/dt): 1000 V/µs
   Maximum operating junction and storage temperature range (T_stg, T_j): -40..125 °C
   Junction to case thermal resistance (R_TH(j-c)): 1.6 K/W
   Triggering gate voltage (V_GT): 2.5 V
   Peak on-state voltage drop (V_TM): 1.8 V
   Triggering gate current (I_GT): 60 mA
   Holding current (I_H): 70 mA

МТД7-3-10-10 Replacements

Type
	< P_GM <	W
	< V_DRM <	V
	< I_T(AVR) <	A
	< I_T(RMS) <	A
	< I_TSM <	A
	< dI/dt <	A/µs
	< dV/dt <	V/µs
T_stg, T_j	>	°C
R_TH(j-a)	<	K/W
R_TH(j-c)	<	K/W
V_GT	<	V
V_TM	<	V
I_GT	<	mA
I_H	<	mA
Package		+ similar ones

- Replacements for SCR and Triac

МТД7-3-10-10 Datasheet

Page #1

Page #2

Description

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МТТ7/3, МТД7/3 и МДТ7/3 Общие сведения Модули МТТ7/3, МТД7/3, МДТ7/3 состоят из двух полупроводниковых структур (тиристорных, диодных) в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием. Представлены следующими типо- исполнениями:

LIST

Last Update

SCR: ТС243-800 | ТС243-630 | ТС243-500 | ТС243-1000 | ТС171-320 | ТС171-250 | ТС165-80-9 | ТС165-80-8 | ТС165-80-6 | ТС165-80-5 | ТС165-80-4 | ТС165-80-2 | ТС165-80-12 | ТС165-80-11 | ТС165-80-10 | ТС165-63-9 | ТС165-63-8 | ТС165-63-6 | ТС165-63-5 | ТС165-63-4 |

All Transistors. SCR. МТД7-3-10-10 Datasheet